Samsung có kế hoạch đưa ngành NAND flash lên một tầm cao mới, khi công ty tiết lộ các giải pháp V-NAND thế hệ thứ 9 và thứ 10 của mình với tối đa 430 lớp.

Samsung đang sản xuất bộ nhớ NAND Flash với tới 430 lớp như một phần của công nghệ V-NAND thế hệ thứ 10 của họ, sẽ ra mắt vào năm sau.

Các thị trường NAND flash đã nhanh chóng phục hồi từ tình trạng kinh tế khó khăn trong những quý gần đây, nhờ vào nhu cầu tiêu dùng suy yếu và mức tồn kho cao. Tuy nhiên, sau khi trải qua điều này, có vẻ như tầng lớp của sự đổi mới đã bắt đầu, và không ai khác ngoài Samsung đã giới thiệu một loại NAND khá cao cấp gọi là NAND flash V-NAND thế hệ thứ 9. Loại này có tới 290 lớp được xếp chồng lên nhau, thiết lập một tiêu chuẩn mới cho các thị trường.

Các phương tiện truyền thông Hàn Quốc đưa tin rằng Samsung dự định phát hành tiêu chuẩn NAND thế hệ thứ 9 của mình vào tháng tới, có khả năng sẽ kế nhiệm thế hệ trước, với 236 lớp xếp chồng. Có vẻ như ngành công nghiệp sẽ bị cuốn vào cuộc đua "xếp chồng lớp", và cho đến nay, Samsung có vẻ đã vượt xa các đối thủ như SK Hynix và Kioxia. Thú vị thay, ông lớn Hàn Quốc cũng công bố một sản phẩm NAND với việc xếp chồng lớp lên tới 430 lớp (V-NAND thế hệ thứ 10) gây sốc, dự kiến sẽ ra mắt vào năm sau.

Một khía cạnh thú vị khác của quy trình NAND thế hệ thứ 9 mới nhất của Samsung là kỹ thuật "xếp chồng kép", tập trung vào việc ép nhiều lớp hơn thông qua nhiều lỗ kênh. Kỹ thuật này sử dụng điện để kết nối các ô tế bào cá thể. Kỹ thuật khoan không chỉ đảm bảo hiệu suất kết nối cao hơn, mà còn giá rẻ hơn nhiều so với các phương pháp xếp chồng truyền thống.

Việc sử dụng sản phẩm NAND đã tăng đột biến trong vài tháng qua, chủ yếu là do việc sử dụng các sản phẩm liên quan đến suy luận trí tuệ nhân tạo vì chúng đòi hỏi lượng lớn bộ nhớ tốc độ cao. Cuối cùng, điều này đã thúc đẩy nhu cầu lớn di chuyển vào tương lai, sẽ kích thích sự phát triển trong phân khúc này cho các nhà sản xuất NAND flash như Samsung.